| 品牌: |
Nanya |
| 分类: |
DDR3 |
| 封装: |
BGA-96 |
| RoHS: |
Yes |
| 制造商: |
Nanya |
| Status: |
库存现货
(4985 available)
|
描述
NT5CC512M8DN-EK是南亚科技(Nanya)推出的高性能DDR3 SDRAM存储颗粒,采用先进的半导体制程打造,单颗容量为4Gbit(512M×8位),搭载96引脚BGA封装,完全符合RoHS环保合规要求。该款颗粒标准工作电压为1.5V,最高可支持1600Mbps的高速数据传输,读写延迟控制优异,同时兼顾低功耗表现,能够在长时间连续运行场景下保持稳定的输出性能。依托南亚原厂成熟的存储芯片生产质控体系,该款DDR3颗粒经过多轮严苛的高低温循环、读写耐久、抗干扰测试,可靠性远高于行业通用标准。BGA-96的紧凑封装设计可有效节省PCB布板空间,适配高密度电路设计需求,无铅无卤的生产工艺也可满足全球多数地区的电子设备环保准入要求。
规格参数
| 品牌 |
Nanya(南亚科技) |
| 型号 |
NT5CC512M8DN-EK |
| 产品类型 |
DDR3 SDRAM 存储颗粒 |
| 总容量 |
4Gbit (512M × 8) |
| 位宽 |
8bit |
| 封装形式 |
BGA-96 |
| 工作电压 |
1.5V ± 0.075V |
| 最高数据传输速率 |
1600Mbps |
| 工作温度范围 |
0℃ ~ 95℃ |
| 环保等级 |
RoHS 合规 |
| 存储架构 |
64M × 8Bank × 8 |
| 刷新周期 |
64ms |