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K4E6E304EB-EGCF
8Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 3360
K4F8E3S4HD-GFCL
8Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 3840
K4F8E3S4HD-GHCL
8Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 20000
K4F8E3S4HB-MHCJ
8Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 12800
K4F8E164HA-MGCL
8Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 70000
K4F6E3S4HM-MGCJ
6Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 3840
K4F6E3S4HM-TFCL
6Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 3840
K4U6E3S4AM-MGCJ
6Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 5000
K4U6E3S4AM-THCL
6Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 12800
K4U8E3S4AD-GFCL
8Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 2191
K4UCE3Q4AB-MGCL
12Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 900
K4UCE3Q4AB-KHCL
12Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 666
K4UJE3Q4AA-THCL
12Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 370
K4UHE3D4AB-MGCL
16Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 1062
K4UBE3D4AM-TFCL
16Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 3775
K4UBE3D4AM-TFCL03V
16Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 1100
K4FHE3D4HA-GFCL
16Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 1830
K3KL1L10GM-AGCT
16Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 1691
K3KLALA0CM-MGCT
16Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 1500
K3KLALA0DM-MGCU
16Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 400
KLUEG8UHYB-B0EQ
128GB UFS Flash Memory
分类: UFS
封装: BGA-153
数量: 2009
KM4X60002M-B321
256GB UFS Flash Memory
分类: UFS
封装: BGA-153
数量: 4000
M378A1G44AB0-CWE
8GB DDR4 SODIMM
分类: DDR4
封装: SODIMM
数量: 750
M426R4GA3PB0-CWMOL
这款三星M426R4GA3PB0-CWMOL是完全符合JEDEC国际标准的DDR5 SODIMM内存模组,采用三星自研先进10nm级DRAM制程工艺生产,全制造流程严格遵循RoHS环保合规要求,全程不添加铅、汞、镉等有害重金属物质,适配新一代移动计算、工业嵌入式等多场景的内存扩容需求。该模组标称运行速率达5600Mbps,相比同容量DDR4 SODIMM产品有效带宽提升40%以上,同时将标准工作电压降至1.1V,大幅降低设备运行与待机功耗,可显著延长便携类设备的续航表现。该款内存经过三星原厂全链路严苛可靠性测试,覆盖高低温循环冲击、7*24小时满载读写、抗振动抗电磁干扰等多项验证环节,可在宽温工况下长期稳定运行,不存在普通消费级内存的兼容性短板,即插即用无需额外调试,搭载的片上ECC纠错机制可将数据读写出错率降至极低水平,为各类业务场景下的数据完整性提供坚实保障。
分类: DDR5
封装: SODIMM
数量: 75