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Nanya
NT6CL128M32BM-H2
4Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 40000
NT5TU64M16HG-BE
1GB DDR2 SDRAM
分类: DDR2
封装: BGA-84
数量: 29825
NT5CC64M16GP-EKH
1GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 4848
NT5TU64M16HZ-AC
1GB DDR2 SDRAM
分类: DDR2
封装: BGA-84
数量: 7379
NT5CC128M16JR-EKA
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 3257
NT5CC128M16JR-DIB
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 9000
NT5CC128M16FP-DI
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 5595
NT5CB128M16FP-DI
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 1355
NT5CC128M16IP-DI
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 10000
NT5CB128M16IP-EKI
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 10000
NT5CC256M16ER-EKI
4GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 1280
NT5CB256M16BP-DI
4GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 15000
NT5CC512M8DN-EK
4GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 4985
NT5AD512M16A4-HR
8GB DDR4 SDRAM
分类: DDR4
封装: BGA-96
数量: 6296
NT5AD1024M8A3-HR
8GB DDR4 SDRAM
分类: DDR4
封装: BGA-96
数量: 1980
NT5AD1024M8A3-HRI
8GB DDR4 SDRAM
分类: DDR4
封装: BGA-96
数量: 4951
NT6AN256T32AV-J2
NT6AN256T32AV-J2是南亚科技（Nanya）推出的高性能低功耗LPDDR4同步动态随机存取内存颗粒，采用成熟的1z纳米制程工艺打造，单颗总容量达256Gbit，数据位宽为32位，可提供最高3200Mbps的等效数据传输速率，完美平衡运行带宽与功耗表现，是面向移动及嵌入式场景优化的高可靠性存储解决方案。产品采用178引脚BGA封装设计，整体体积紧凑，引脚排布经过优化可大幅降低PCB布线难度，全生产流程符合RoHS环保指令要求，无铅无有害重金属成分，满足全球消费电子、工业级产品的合规准入要求。 该款内存颗粒内置温度自刷新机制、硬件级错误校验纠错功能，核心工作电压低至1.1V，相比前代LPDDR3产品功耗最高降低40%，长时间高负载运行下也能保持极低的发热表现。宽温域适配设计让产品可以在复杂的环境工况下稳定输出性能，经过南亚原厂全流程严苛可靠性测试，平均无故障工作时间远超行业通用标准，可满足大批量量产项目的长期稳定供货需求。
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 2133