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集成电路（IC）
FSEIASLD-64G
64GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 644
FSEIASLD-128G
128GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 597
FEMDRW032G-88A19
32GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 3040
FEMDNN032G-A3A55
32GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 520
128GB EMMC
128GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 3040
E64GCYNE1ABE00
64GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 7600
TEMBG104T10-A0S5
32GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 2780
PTE8AOHR-X28E
128GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 10000
RS1536M32LB4D4BDT-53BT
48Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 2164
BWSR9X32P8A-48G
128GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 2100
BWCTAK411G32G
32GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 626
BWCTASC21P64G
64GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 1140
BWMECX32H2A-08Gb-X
8Gb eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 2880
BWMEZX32H2A-16GB
16GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 399
BWME4X32H2A-24Gb
24Gb eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 969
BWMEIX32H2A-48G-X
48Gb eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 393
BWMEIX32H2A-24G-X
24Gb eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 641
BWMD4X32H2A-16GB
16GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 1318
BWMYCX32P8A-32G
32GB eMMC Flash Memory
分类: EMMC
封装: BGA-153
数量: 487
NT6CL128M32BM-H2
4Gb LPDDR4 SDRAM
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 40000
NT5TU64M16HG-BE
1GB DDR2 SDRAM
分类: DDR2
封装: BGA-84
数量: 29825
NT5CC64M16GP-EKH
1GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 4848
NT5TU64M16HZ-AC
1GB DDR2 SDRAM
分类: DDR2
封装: BGA-84
数量: 7379
NT5CC128M16JR-EKA
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 3257
NT5CC128M16JR-DIB
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 9000
NT5CC128M16FP-DI
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 5595
NT5CB128M16FP-DI
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 1355
NT5CC128M16IP-DI
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 10000
NT5CB128M16IP-EKI
2GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 10000
NT5CC256M16ER-EKI
4GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 1280
NT5CB256M16BP-DI
4GB DDR3 SDRAM
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 15000
NT5CC512M8DN-EK
NT5CC512M8DN-EK是南亚科技（Nanya）推出的高性能DDR3 SDRAM存储颗粒，采用先进的半导体制程打造，单颗容量为4Gbit（512M×8位），搭载96引脚BGA封装，完全符合RoHS环保合规要求。该款颗粒标准工作电压为1.5V，最高可支持1600Mbps的高速数据传输，读写延迟控制优异，同时兼顾低功耗表现，能够在长时间连续运行场景下保持稳定的输出性能。依托南亚原厂成熟的存储芯片生产质控体系，该款DDR3颗粒经过多轮严苛的高低温循环、读写耐久、抗干扰测试，可靠性远高于行业通用标准。BGA-96的紧凑封装设计可有效节省PCB布板空间，适配高密度电路设计需求，无铅无卤的生产工艺也可满足全球多数地区的电子设备环保准入要求。
分类: DDR3
封装: BGA-96
数量: 4985
NT5AD512M16A4-HR
8GB DDR4 SDRAM
分类: DDR4
封装: BGA-96
数量: 6296
NT5AD1024M8A3-HR
8GB DDR4 SDRAM
分类: DDR4
封装: BGA-96
数量: 1980
NT5AD1024M8A3-HRI
NT5AD1024M8A3-HRI 是 Nanya（南亚科技）推出的 DDR4 SDRAM 存储芯片，容量为 8Gb，组织结构为 1G x 8，采用 BGA-96 封装，并符合 RoHS 环保要求。该产品面向需要高速数据传输、低功耗和稳定供货的电子系统设计，适用于工业级与嵌入式存储场景。 该器件采用 1.2V 工作电压和 DDR4 JEDEC 标准接口，具备良好的带宽效率与信号完整性，可在空间受限的 PCB 上实现高密度存储布局。HRI 等级面向工业环境应用，具体数据速率、时序与温度范围请以 Nanya 官方数据手册为准。 BGA-96 封装便于自动化贴装和可靠焊接，适合用于工业控制、网络通信、嵌入式计算、存储设备、视频监控及内存模组等应用，为系统提供稳定的 DDR4 内存解决方案。
分类: DDR4
封装: BGA-96
数量: 4951
NT6AN256T32AV-J2
NT6AN256T32AV-J2是南亚科技（Nanya）推出的高性能低功耗LPDDR4同步动态随机存取内存颗粒，采用成熟的1z纳米制程工艺打造，单颗总容量达256Gbit，数据位宽为32位，可提供最高3200Mbps的等效数据传输速率，完美平衡运行带宽与功耗表现，是面向移动及嵌入式场景优化的高可靠性存储解决方案。产品采用178引脚BGA封装设计，整体体积紧凑，引脚排布经过优化可大幅降低PCB布线难度，全生产流程符合RoHS环保指令要求，无铅无有害重金属成分，满足全球消费电子、工业级产品的合规准入要求。 该款内存颗粒内置温度自刷新机制、硬件级错误校验纠错功能，核心工作电压低至1.1V，相比前代LPDDR3产品功耗最高降低40%，长时间高负载运行下也能保持极低的发热表现。宽温域适配设计让产品可以在复杂的环境工况下稳定输出性能，经过南亚原厂全流程严苛可靠性测试，平均无故障工作时间远超行业通用标准，可满足大批量量产项目的长期稳定供货需求。
分类: LPDDR4
封装: BGA-178
数量: 2133